光致抗蝕劑(photoresist)，又稱光刻膠，是集成電路中實現(xiàn)芯片圖形轉(zhuǎn)移的關鍵基礎化學材料，它決定著微電子技術的發(fā)展水平。
    在光刻膠的高端領域，技術一直為美國、日本廠商等所壟斷，其中248nm光刻膠用于8-12英寸超大規(guī)模集成電路的制造。目前中國8英寸硅片集成電路生產(chǎn)廠家建成和在建共19家，產(chǎn)能44.2萬片/月，需用248nm光刻膠約530噸/年，市值12億元/年，但這種光刻膠的供應商基本來自美國、日本，國內(nèi)企業(yè)所用光刻膠全部依賴進口。
    為了打破受制于人的尷尬局面，國內(nèi)一家科研機構以對羥基苯甲醛(PHB)為起始原料，首先合成中間體對羥基肉桂酸（PHCA），然后再通過脫羧反應、催化氫化合成法等，制備對羥基苯乙烯（PHS），最后再由PHS出發(fā)，分別合成對乙酰氧基苯乙烯（PAS）和對特丁氧酰氧基苯乙烯（PTBOCS）。主要考察了反應溶劑及分離提純方法對產(chǎn)品制備工藝的影響。研究結果表明：以4-甲基吡啶代替吡啶作為反應溶劑制備中間體PHCA，采用成鹽法純化PHS、萃取法精制PAS和PTBOCS，所得目標產(chǎn)物PHS產(chǎn)率為93%、PAS產(chǎn)率為88%、PT-BOCS產(chǎn)率為85%，產(chǎn)品純度均大于98%。
    現(xiàn)在該項研究已列入“江蘇省產(chǎn)學研前瞻性聯(lián)合研究項目”，進展順利。